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厂商型号

BSF024N03LT3 G 

产品描述

MOSFET N-Channel 30V MOSFET

内部编号

173-BSF024N03LT3-G

生产厂商

Infineon Technologies

Infineon Technologies

#1

数量:5000
5000+¥4.268
10000+¥4.104
25000+¥4.022
50000+¥3.94
最小起订量:5000
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:9980
1+¥11.523
10+¥9.849
25+¥8.866
100+¥8.044
250+¥7.223
500+¥6.238
1000+¥5.253
2500+¥4.761
最小起订量:1
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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BSF024N03LT3 G产品详细规格

规格书 BSF024N03LT3 G datasheet 规格书
BSF024N03LT3 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 106A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.4 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 71nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5500pF @ 15V
功率 - 最大 2.2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 3-WDSON
供应商器件封装 MG-WDSON-2, CanPAK M™
包装材料 Tape & Reel (TR)
P( TOT ) 42W
匹配代码 BSF024N03LT3 G
安装 SMD
R( THJC ) 3K/W
LogicLevel YES
包装 WDSON-2
单位包 5000
标准的提前期 9 weeks
最小起订量 5000
Q(克) 53nC
LLRDS (上) 0.0032Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 4.5V
我(D ) 106A
V( DS ) 30V
的RDS(on ) at10V 0.0024Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 106A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 MG-WDSON-2, CanPAK M™
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.4 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.2W
标准包装 5,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 5500pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 71nC @ 10V
封装/外壳 3-WDSON
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BSF024N03LT3 GCT
系列 BSF024N03
商品名 OptiMOS
零件号别名 BSF024N03LT3GXUMA1 SP000616988
RoHS RoHS Compliant

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